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晶体管
SSM3J168F,LF参考图片

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SSM3J168F,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
3,000
¥0.72998
2189.94
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-346-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V, - 20 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SSM3J168F
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31.7 ns
典型接通延迟时间
4.3 ns
单位重量
120 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥165.6693
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500:¥144.6852
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
142:¥101.3497
250:¥92.434
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参考库存:38863
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暂无价格
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10:¥34.352
100:¥29.8094
250:¥28.2726
1,000:¥21.357
2,000:查看
参考库存:4904
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥1,983.8506
参考库存:38871
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