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晶体管
IPL65R650C6SATMA1参考图片

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IPL65R650C6SATMA1

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库存:3,661(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.3902
739.02
500
¥6.5314
3265.7
1,000
¥5.1528
5152.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ThinPAK-56-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
6.7 A
Rds On-漏源导通电阻
650 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
56.8 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
6 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPL65R650C6S SP001163082
单位重量
76 mg
商品其它信息
优势价格,IPL65R650C6SATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK7M22-80E/MLFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥5.3788
10:¥4.407
100:¥2.8476
1,000:¥2.2713
1,500:¥1.921
参考库存:4075
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
1:¥3.2318
10:¥2.4408
100:¥1.3334
1,000:¥0.99892
2,000:¥0.86106
参考库存:4836
晶体管
MOSFET MOSF N CH 30V 34A DIRECTFET MT
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9836
500:¥9.605
4,800:¥7.1416
9,600:查看
参考库存:11989
晶体管
MOSFET P-CH Pwr MOSFET 60V 100A 5.8mOhm
1:¥32.3519
10:¥27.5042
100:¥23.8204
250:¥22.5887
800:¥17.1308
2,400:查看
参考库存:3429
晶体管
MOSFET MOSFET Pch -30V -10A
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8704
2,500:¥4.8138
10,000:查看
参考库存:5121
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