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晶体管

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FGB3056-F085

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数量单价合计
1
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10
¥16.9839
169.839
100
¥13.6052
1360.52
500
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5915.55
800
¥9.831
7864.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
560 V
集电极—射极饱和电压
1 V
栅极/发射极最大电压
10 V
在25 C的连续集电极电流
29 A
Pd-功率耗散
200 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGB3056_F085
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
29 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
40 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
商标名
EcoSPARK
零件号别名
FGB3056_F085
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FGB3056-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
QPD1823
Qorvo
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V
250:¥623.3306
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1,000:¥15.2889
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TSM60NB190CI C0G
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晶体管
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4,000:¥10.5316
5,000:¥10.1474
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RSD050N06TL
ROHM Semiconductor
晶体管
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2,500:¥1.7741
10,000:¥1.7176
25,000:¥1.6498
50,000:¥1.6159
参考库存:27733
PTRA094252FC-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
50:¥878.2021
参考库存:27736
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