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晶体管
DMP26M7UFG-7参考图片

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DMP26M7UFG-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Ch Enh FET 12Vgss PPAP
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数量单价合计
1
¥5.989
5.989
10
¥5.0059
50.059
100
¥3.2318
323.18
1,000
¥2.5764
2576.4
2,000
¥2.5764
5152.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
400 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
156 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
41 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMP26M
商标
Diodes Incorporated
下降时间
109 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
23 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
121 ns
典型接通延迟时间
10.7 ns
单位重量
72 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥5.1302
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1:¥270.635
5:¥260.0243
10:¥250.2724
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1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:11583
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1:¥0.99892
10:¥0.84524
100:¥0.29945
1,000:¥0.20001
10,000:¥0.13108
20,000:查看
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1:¥6.1472
10:¥5.0737
100:¥3.2883
1,000:¥2.6329
2,500:¥2.3843
参考库存:4959
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