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晶体管
SIHG22N60AE-GE3参考图片

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SIHG22N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：4,894(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥31.0411
31.0411
10
¥25.7414
257.414
100
¥21.2101
2121.01
250
¥20.5208
5130.2
500
¥18.4416
9220.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
156 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
179 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
21 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
33 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SIHG22N60AE-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGH60N60SFDTU-F085
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch 60A 600V FS IGBT
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:4927
DDTC114GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:7906
PMST2222A,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SW 600mA 40V
1:¥1.7628
10:¥1.2204
100:¥0.50737
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.27685
参考库存:5375
BUJ303A,127
WeEn Semiconductors
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RAIL BIPOLAR
1:¥6.3732
10:¥5.1528
100:¥3.2996
1,000:¥2.6894
参考库存:4851
APT13005SU-G1
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 450V NPN High Volt 700Vces 450Vceo 3.2A
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
4,000:¥1.10627
参考库存:8744
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