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晶体管
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FGA3060ADF

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库存:4,936(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5097
24.5097
10
¥20.8259
208.259
100
¥18.0574
1805.74
250
¥17.1308
4282.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
176 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA3060ADF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA3060ADF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P CH MOSFET
1:¥3.5369
10:¥2.4634
100:¥1.1639
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.73789
参考库存:8243
晶体管
MOSFET N-Ch Enh Mode Fet 40Vdss 20Vgss
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
2,500:¥4.1471
参考库存:5405
晶体管
MOSFET PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7" Q1
1:¥6.6896
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
1,500:¥2.4408
参考库存:7407
晶体管
MOSFET 80V 32A 100W AEC-Q101 Qualified
1:¥24.8939
10:¥23.7413
100:¥19.1309
500:¥15.0629
3,000:¥11.3678
6,000:查看
参考库存:14046
晶体管
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.1132
100:¥3.051
500:¥2.5086
3,000:¥1.7628
6,000:查看
参考库存:83293
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