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晶体管
SIHA15N65E-GE3参考图片

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SIHA15N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
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库存:5,071(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.3626
203.626
100
¥16.8257
1682.57
250
¥16.2946
4073.65
500
¥14.5996
7299.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
15 A
Rds On-漏源导通电阻
280 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
5.6 S
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,SIHA15N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel PowerTrench
1:¥16.4415
10:¥13.9894
100:¥11.1418
500:¥9.7632
1,000:¥8.1473
参考库存:3788
晶体管
IGBT 晶体管 650 V 100 A 240 W
1:¥38.646
10:¥32.8152
100:¥28.4308
250:¥26.9731
参考库存:2346
晶体管
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
1:¥21.7412
10:¥17.9783
100:¥14.8256
800:¥14.8256
参考库存:2718
晶体管
MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
1:¥34.9622
10:¥29.7416
100:¥25.7414
250:¥24.4306
参考库存:2293
晶体管
IGBT 晶体管 600V 4 0A UFD
1:¥35.5046
10:¥30.1936
100:¥26.1256
250:¥24.8148
500:¥22.2836
参考库存:2420
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