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晶体管
SIJH440E-T1-GE3参考图片

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SIJH440E-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 8x8L
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库存:5,806(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.063
170.63
100
¥13.221
1322.1
500
¥11.526
5763
1,000
¥9.5259
9525.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
200 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 16 V
Qg-栅极电荷
420 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
158 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SIJH
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
140 S
下降时间
53 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
290 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
78 ns
典型接通延迟时间
140 ns
商品其它信息
优势价格,SIJH440E-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
1:¥3.2996
10:¥2.1809
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:20606
晶体管
IGBT 模块 EconoPACK4 200A 1200V
1:¥1,647.8338
5:¥1,608.2612
参考库存:4614
晶体管
MOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥23.4362
10:¥19.436
100:¥15.0629
500:¥13.221
3,000:¥13.221
参考库存:7428
晶体管
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.6049
5,000:¥5.65
10,000:查看
参考库存:14612
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 60V NPN
1:¥0.99892
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
10,000:¥0.13786
20,000:查看
参考库存:103205
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