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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PowerDI5060-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	100 A
Rds On-漏源导通电阻	10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	47.1 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	150 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
产品	MOSFETs
系列	DMTH6005
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel Enhancement Mode MOSFET
商标	Diodes Incorporated
下降时间	8.9 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	9.4 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	22 ns
典型接通延迟时间	8.3 ns
单位重量	96 mg

商品其它信息

优势价格，DMTH6005LPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SBCW30LT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SILICON TRANSISTOR PLAST	1:¥3.0736 10:¥2.0114 100:¥0.86784 1,000:¥0.66896 3,000:¥0.50737	参考库存:10100
NTMFS4983NFT3G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET SO8FL 30V 160A 2.1MO	1:¥7.5258 10:¥6.4636 100:¥4.9607 500:¥4.3844 5,000:¥3.0623 10,000:查看	参考库存:11102
2SC4134T-TL-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V	1:¥5.9212 10:¥4.8816 100:¥3.1527 700:¥2.5199 2,100:¥2.1244	参考库存:15304
SIHW30N60E-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS	1:¥49.4827 10:¥40.9512 100:¥33.7305 250:¥32.657	参考库存:1587
AUIRF1324STRL7P	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET_(20V,40V)_47	1:¥32.4988 10:¥27.6624 100:¥23.9786 250:¥22.7469 800:¥17.2099 2,400:查看	参考库存:1909