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晶体管
FS50R07W1E3B11ABOMA1参考图片

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FS50R07W1E3B11ABOMA1

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库存:3,776(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥336.7852
336.7852
5
¥329.3385
1646.6925
10
¥314.2756
3142.756
25
¥301.0546
7526.365
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
205 W
封装 / 箱体
EasyPack1B
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
湿度敏感性
Yes
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
24
子类别
IGBTs
零件号别名
FS50R07W1E3_B11A SP000865118
商品其它信息
优势价格,FS50R07W1E3B11ABOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH -60V HEXFET MOSFET D-PAK
1:¥7.2998
10:¥5.8308
3,000:¥5.8308
参考库存:34332
晶体管
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
1:¥19.8202
10:¥16.9048
100:¥13.5261
500:¥11.8311
1,000:¥9.7632
参考库存:4349
晶体管
MOSFET
1:¥7.3789
10:¥6.3506
100:¥4.8816
500:¥4.3053
1,000:¥3.4013
2,500:¥3.4013
参考库存:66011
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥248.2723
5:¥237.1305
10:¥229.6725
25:¥211.084
参考库存:3792
晶体管
IGBT 晶体管 LC IH RC OSV
1:¥24.3628
10:¥20.7468
100:¥17.9783
250:¥17.063
参考库存:4171
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