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FGH50T65SQD-F155

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数量单价合计
1
¥35.1882
35.1882
10
¥29.8885
298.885
100
¥25.8996
2589.96
250
¥24.5888
6147.2
500
¥22.0576
11028.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
268 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH50T65SQD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH50T65SQD_F155
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格，FGH50T65SQD-F155的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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