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晶体管
DMT6004LPS-13参考图片

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DMT6004LPS-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.2772
727.72
500
¥6.4297
3214.85
1,000
¥5.0737
5073.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
96.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerDI
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.8 mm
系列
DMT6004
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
32.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53.5 ns
典型接通延迟时间
9.9 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格，DMT6004LPS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPL65R340CFDAUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 700V 10.9A VSON-5
1:¥19.21
10:¥16.2946
100:¥13.0628
500:¥11.3678
3,000:¥8.7575
6,000:查看
参考库存:6972
DMP2005UFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:6974
RJK5035DPP-E0#T2
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.8202
10:¥17.8992
25:¥15.9782
100:¥14.3736
参考库存:18176
PSMP015-40YEX
Nexperia
晶体管
MOSFET PSMP015-40YE LFPAK
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
参考库存:18179
DMN31D6UT-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
1:¥2.2261
10:¥1.5594
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:18182
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