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晶体管
SIHFR1N60A-GE3参考图片

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SIHFR1N60A-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 600V Vds TO-252 DPAK
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库存：4,256(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.3619
63.619
100
¥4.8816
488.16
500
¥4.2036
2101.8
1,000
¥3.3222
3322.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
36 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SIHFR
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
0.88 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
9.8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SIHFR1N60A-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6991DQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 4.2A 0.83W
3,000:¥6.328
6,000:¥6.102
9,000:¥5.8647
参考库存:30022
TK60P03M1,RQ(S
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 60A 30V 63W 2700pF 0.0078
2,000:¥3.1866
10,000:¥3.0623
24,000:¥2.9606
参考库存:30025
SIRA52DP-T1-RE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
6,000:¥4.6217
参考库存:30028
TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 40V 121A Single N-Chan Pwr MOSFET
5,000:¥6.4297
10,000:¥6.3054
参考库存:30031
J110A
InterFET
晶体管
JFET N-Ch JFET -25V 25ohm 50mA 360mW 3.27mW
323:¥22.0576
500:¥19.8202
1,000:¥16.7466
2,500:¥15.9104
参考库存:30034
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