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晶体管
SIDR622DP-T1-GE3参考图片

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SIDR622DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
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库存：5,723(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥23.5944
23.5944
10
¥19.5942
195.942
100
¥15.2098
1520.98
500
¥13.2888
6644.4
3,000
¥10.2943
30882.9
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8DC-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
64.6 A
Rds On-漏源导通电阻
17.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SID
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SIDR622DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZDT6753TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 100V
1:¥8.6106
10:¥7.3563
100:¥5.65
500:¥4.9946
1,000:¥3.9437
参考库存:5955
IPS80R2K4P7AKMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥6.4523
10:¥5.3901
100:¥3.4804
1,000:¥2.7911
参考库存:3383
SMBT3906DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 40V
1:¥2.9154
10:¥2.1696
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
9,000:¥0.71416
参考库存:8478
BSM200GB60DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 600V 200A DUAL
1:¥739.4268
5:¥725.8329
10:¥693.1759
25:¥670.1239
参考库存:3162
PZT3906
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.6894
10:¥2.0905
100:¥1.13
1,000:¥0.85315
4,000:¥0.72998
参考库存:14762
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