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晶体管
IRL60SL216参考图片

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IRL60SL216

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 60V, 298A, 1.95 mOhm 170 NC Qg
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库存:3,897(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥48.3301
48.3301
10
¥43.7197
437.197
25
¥41.6518
1041.295
100
¥36.1939
3619.39
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
298 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
170 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
229 S
下降时间
120 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
180 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
190 ns
典型接通延迟时间
70 ns
零件号别名
SP001558100
单位重量
2.084 g
商品其它信息
优势价格,IRL60SL216的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥40.9512
10:¥34.804
100:¥30.1258
360:¥28.589
720:¥25.6623
参考库存:4466
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 0.15A
1:¥3.5369
10:¥2.2713
100:¥0.97632
1,000:¥0.75258
8,000:¥0.50737
24,000:查看
参考库存:17339
晶体管
MOSFET 100V 20A 38.2mOhm
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8817
500:¥6.0794
参考库存:5571
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Single NPN 21GHz
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:12116
晶体管
MOSFET -60V -12A P-Channel
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:7844
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