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晶体管
IKY50N120CH3XKSA1参考图片

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IKY50N120CH3XKSA1

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库存:3,448(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥92.9764
92.9764
10
¥85.5184
855.184
25
¥81.9928
2049.82
100
¥72.2296
7222.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-4-2
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
652 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKY50N120CH3 SP001465126
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IKY50N120CH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:6293
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SC70 BR XSTR PNP 50V
1:¥2.0792
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:22247
晶体管
IGBT 模块 HYBRID PACK 2
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:1640
晶体管
MOSFET N-Ch 30V FET 15A 1.9W 1800pF
2,500:¥2.1244
10,000:¥2.0453
25,000:¥1.9549
参考库存:22252
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
参考库存:2142
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