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晶体管
BSS84WQ-7-F参考图片

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BSS84WQ-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA
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库存:20,241(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.0566
20.566
100
¥0.94468
94.468
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.61472
1844.16
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
130 mA
Rds On-漏源导通电阻
10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BSS84
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.05 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS84WQ-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.0736
10:¥2.3843
100:¥1.2882
1,000:¥0.96841
3,000:¥0.83733
9,000:¥0.78422
参考库存:9732
晶体管
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.1471
100:¥2.6781
1,000:¥2.1357
3,000:¥1.808
参考库存:7275
晶体管
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
1:¥10.7576
10:¥9.2208
100:¥7.0286
500:¥6.215
1,000:¥4.9155
2,500:¥4.9155
参考库存:34944
晶体管
MOSFET 12V Enh Mode FET
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
3,000:¥0.87575
9,000:¥0.81473
参考库存:9516
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥35.3464
10:¥30.0467
100:¥26.0465
250:¥24.6679
1,000:¥18.6676
2,000:查看
参考库存:4414
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