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晶体管
IPD530N15N3GATMA1参考图片

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IPD530N15N3GATMA1

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库存:12,006(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.9158
10.9158
10
¥9.2999
92.999
100
¥7.1868
718.68
500
¥6.3506
3175.3
2,500
¥4.4409
11102.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
44 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
G IPD530N15N3 SP001127830
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD530N15N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DUAL N-CH 20V 0.23A
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
2,500:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:65348
晶体管
MOSFET PHP191NQ06LT/SIL3P/STANDARD MA
1:¥14.5205
10:¥12.2944
100:¥9.831
500:¥8.6106
参考库存:7911
晶体管
MOSFET 20V Single NChannel PowerTrench MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.5538
100:¥1.5594
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.02943
参考库存:30808
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 45
1:¥1.5368
10:¥1.4012
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:63539
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7912
2,500:¥3.3448
10,000:查看
参考库存:8637
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