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产品分类

晶体管
SQD50N04-5M6_GE3参考图片

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SQD50N04-5M6_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
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库存:3,558(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.6785
106.785
100
¥8.2942
829.42
500
¥7.2659
3632.95
2,000
¥5.6048
11209.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
4.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,SQD50N04-5M6_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 40V 18A 5mOhm 33nC Qg
1:¥12.0684
10:¥10.2943
100:¥7.8422
500:¥6.9834
1,000:¥5.5144
4,000:¥5.5144
参考库存:21874
晶体管
MOSFET WL-CSP Dual Nchannel MOSFET
1,000:¥2.8589
2,000:¥2.3165
10,000:¥2.2261
25,000:¥2.147
参考库存:36393
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -400V Vceo -100mA Ic MPT3
1:¥4.9946
10:¥4.1245
100:¥2.5086
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.6611
参考库存:5822
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:12660
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
1:¥42.262
10:¥35.8888
100:¥31.1202
250:¥29.5043
2,000:¥21.2101
4,000:查看
参考库存:8165
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