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晶体管
IAUT300N08S5N012ATMA2参考图片

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IAUT300N08S5N012ATMA2

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库存:6,445(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.2566
47.2566
10
¥42.7253
427.253
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
2,000
¥25.8205
51641
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
300 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
231 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
下降时间
55 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
19 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
69 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
IAUT300N08S5N012 SP001585160
商品其它信息
优势价格,IAUT300N08S5N012ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS DOUBLE TAPE-7
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.36838
24,000:¥0.34578
45,000:¥0.30736
99,000:¥0.29945
参考库存:16049
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCM857QAS DFN1010B-6
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
参考库存:16052
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥43.3355
10:¥36.8041
100:¥31.8886
250:¥30.2727
3,000:¥21.7412
参考库存:16055
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥10.7576
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.2037
1,000:¥4.9042
参考库存:2208
晶体管
MOSFET NMOS TOLL 100V 2.0 MOHM
1:¥31.3462
10:¥26.668
100:¥23.1311
250:¥21.8994
2,000:¥15.7522
4,000:查看
参考库存:3850
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