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晶体管
IPB044N15N5ATMA1参考图片

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IPB044N15N5ATMA1

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库存:9,242(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥50.8726
50.8726
10
¥45.9458
459.458
25
¥43.7988
1094.97
100
¥38.0358
3803.58
1,000
¥28.815
28815
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
174 A
Rds On-漏源导通电阻
3.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
72 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPB044N15N5 SP001326442
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IPB044N15N5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
1:¥26.3516
10:¥22.3627
100:¥19.436
250:¥18.4416
500:¥16.5206
参考库存:5662
晶体管
MOSFET PSMN6R9-100YSF SOT669/LFPAK
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
参考库存:25777
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 0.22K
3,000:¥0.65314
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:25780
晶体管
IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
1:¥1,260.8653
5:¥1,230.5926
10:¥1,200.0148
25:¥1,183.1778
参考库存:5178
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:6166
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