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晶体管
AIGW50N65F5XKSA1参考图片

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AIGW50N65F5XKSA1

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库存:2,803(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.66 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
270 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
AIGW50N65F5 SP001346882
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,AIGW50N65F5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 8V 12A 19W 13mohms @ 4.5V
1:¥4.5313
10:¥3.4691
100:¥2.5764
500:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.6385
参考库存:14179
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 7OHM
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:6284
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥46.2622
10:¥38.2618
100:¥31.5044
250:¥30.51
参考库存:4143
晶体管
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
1,000:¥5.65
参考库存:7204
晶体管
MOSFET 200V 57A 300W
1:¥36.1148
10:¥29.8885
100:¥24.5888
250:¥23.8204
500:¥21.357
参考库存:4043
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