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产品分类

晶体管
SQJ411EP-T1_GE3参考图片

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SQJ411EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified
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库存:4,742(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5653
656.53
500
¥5.65
2825
1,000
¥4.4635
4463.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
198 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ411EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in TO-220 package
1:¥23.6622
10:¥20.1366
100:¥17.4472
250:¥16.5997
参考库存:3144
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
参考库存:2479
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.7685
10:¥1.921
100:¥0.79891
1,000:¥0.54579
3,000:¥0.43053
参考库存:47203
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:118292
晶体管
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
1:¥43.7197
10:¥37.1883
100:¥32.1937
250:¥30.5778
参考库存:2275
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