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晶体管
SQJ411EP-T1_GE3参考图片

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SQJ411EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -12V Vds -60A Id AEC-Q101 Qualified
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库存：4,742(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5653
656.53
500
¥5.65
2825
1,000
¥4.4635
4463.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
150 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
68 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
73 S
下降时间
75 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
36 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
198 ns
典型接通延迟时间
32 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SQJ411EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FS225R12KE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A
1:¥2,739.8884
5:¥2,574.7502
参考库存:2225
IPL60R060CFD7AUMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥59.551
10:¥53.788
25:¥51.2568
100:¥44.4881
3,000:¥32.4988
参考库存:2228
IPP60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥21.9785
10:¥18.6676
100:¥14.9047
500:¥13.0628
1,000:¥10.8367
参考库存:2696
FDC604P
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 P-CH
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9436
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:92095
QS8J4TR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN
1:¥6.9947
10:¥5.9664
100:¥4.5765
500:¥4.0454
3,000:¥2.8363
9,000:查看
参考库存:2900
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