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晶体管
SI8824EDB-T2-E1参考图片

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SI8824EDB-T2-E1

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 20V Vds 5V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.3843
23.843
100
¥1.6046
160.46
500
¥1.2882
644.1
3,000
¥0.89157
2674.71
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MicroFoot-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
2.9 A
Rds On-漏源导通电阻
60 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
5 V
Qg-栅极电荷
6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
900 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.65 mm
长度
1.6 mm
系列
SI8
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
5 ns
商品其它信息
优势价格，SI8824EDB-T2-E1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PSMN5R6-100BS,118
Nexperia
晶体管
MOSFET Std N-chanMOSFET
1:¥20.5886
10:¥17.515
100:¥14.0572
500:¥12.2944
800:¥10.2152
参考库存:5800
PBSS4350SSJ
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS4350SS/SO8/REEL 13" Q1/T1
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
2,500:¥1.4577
参考库存:21615
NSBC114TDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DUAL NBRT
1:¥3.1527
10:¥2.034
100:¥0.87575
1,000:¥0.66896
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:21618
IPAN50R500CEXKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
1:¥7.1416
10:¥6.102
100:¥4.6895
500:¥4.1471
1,000:¥3.277
参考库存:2008
DXT651Q-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:3510
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