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晶体管
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FDBL86566-F085

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数量单价合计
1
¥19.7524
19.7524
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
2,000
¥9.0626
18125.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-PSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
240 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.48 mm
系列
FDBL86566_F085
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
29 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
39 ns
典型接通延迟时间
37 ns
零件号别名
FDBL86566_F085
单位重量
850.050 mg
商品其它信息
优势价格，FDBL86566-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TSM2NB60CP ROG
Taiwan Semiconductor
晶体管
MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
5,000:¥2.2148
10,000:¥2.1809
25,000:¥2.1244
参考库存:27812
DMTH4008LFDFW-13
Diodes Inc. / Pericom
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-6 T&R 10K
1:¥4.6104
10:¥3.8872
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
10,000:¥2.0001
参考库存:27815
PD57006TR-E
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
600:¥85.9026
参考库存:27818
NTTFS5CS73NLTWG
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 60V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.8476
10,000:¥2.7346
25,000:¥2.6555
参考库存:6494
TPN2R805PL,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET U-MOSIX-H 45V 139A 39nC MOSFET
5,000:¥2.9493
10,000:¥2.8363
25,000:¥2.7459
参考库存:27823
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