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晶体管
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FGA6065ADF

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库存:2,846(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.3411
42.3411
10
¥36.0357
360.357
100
¥31.1993
3119.93
250
¥29.5834
7395.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
306 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA6065ADF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA6065ADF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT5 100/25V Pch Power Trench MOSFET
1:¥17.063
10:¥14.4414
100:¥11.6051
500:¥10.1474
1,000:¥8.3733
3,000:¥7.8422
参考库存:21645
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
参考库存:2737
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 3-Phase Brushless Fan Motor Driver
1:¥3.0736
10:¥1.9775
100:¥0.85315
1,000:¥0.65314
8,000:¥0.43844
24,000:查看
参考库存:9291
晶体管
MOSFET P-Ch -30V 25.4A TDSON-8 OptiMOS P3
1:¥18.2156
10:¥15.4471
100:¥12.3735
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
5,000:¥8.9948
参考库存:50830
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥178.1897
5:¥170.2006
10:¥164.9009
25:¥151.533
参考库存:1445
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