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晶体管
SQ3456BEV-T1_GE3参考图片

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SQ3456BEV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified
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库存:10,850(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.9155
4.9155
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥1.9662
1966.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.8 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.05 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.65 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
6 ns
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,SQ3456BEV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,000:¥1.1413
参考库存:48462
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN 18V 150mA 4GHZ
1:¥7.684
10:¥6.5088
100:¥5.0059
500:¥4.4183
1,000:¥3.4917
参考库存:6077
晶体管
MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
1:¥6.8365
10:¥5.7969
100:¥4.4522
500:¥3.9324
1,000:¥3.1075
2,500:¥3.1075
参考库存:7233
晶体管
MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET
1:¥7.7631
10:¥6.6218
100:¥5.085
500:¥4.4974
1,000:¥3.5482
2,500:¥3.5482
参考库存:10156
晶体管
MOSFET PT4 Nch with Zener
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.4919
500:¥6.6105
2,500:¥4.633
10,000:查看
参考库存:5074
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