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晶体管
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SP000870646

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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥1.8758
18.758
100
¥0.80682
80.682
1,000
¥0.62263
622.63
3,000
¥0.46895
1406.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
190 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
0.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS123
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
410 mS
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7.4 ns
典型接通延迟时间
2.3 ns
零件号别名
BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SP000870646的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V PowerTrench MOSFET
1:¥7.5258
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
3,000:¥3.0623
9,000:查看
参考库存:8722
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥19.1309
10:¥17.2099
25:¥15.4471
100:¥13.8312
2,500:¥8.3733
5,000:查看
参考库存:7009
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 40V 0.6A
1:¥2.5312
10:¥1.6837
100:¥0.70738
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.37629
参考库存:9702
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:37521
晶体管
MOSFET Nchannel 30 V 0.0024 Ohm80A DPAK STripFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2943
2,500:¥7.91
5,000:查看
参考库存:4820
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