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晶体管
SIZ346DT-T1-GE3参考图片

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SIZ346DT-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3
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库存:6,559(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.6048
5.6048
10
¥4.5426
45.426
100
¥3.4465
344.65
500
¥2.8476
1423.8
3,000
¥2.0679
6203.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAIR-3x3-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
17 A, 30 A
Rds On-漏源导通电阻
11.5 mOhms, 28.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V, 2.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
- 16 V, 20 V
Qg-栅极电荷
6.6 nC, 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
16 W, 16.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIZ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
7 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns, 40 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
7 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
7 ns, 8 ns
商品其它信息
优势价格,SIZ346DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:3701
晶体管
达林顿晶体管 NPN GP Darlington
1:¥6.6105
10:¥5.7291
100:¥3.9776
1,000:¥2.9493
2,000:¥2.4973
参考库存:4648
晶体管
MOSFET N-CH/450V/0.5A/BFET
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3956
1,000:¥1.9097
2,000:¥1.7176
参考库存:12433
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45V 500mA NPN GP Transistors
1:¥2.4634
10:¥1.6498
100:¥0.69156
1,000:¥0.46895
5,000:¥0.36838
参考库存:39812
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.4524
10:¥7.2207
100:¥5.537
500:¥4.8929
800:¥3.8646
参考库存:5849
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