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晶体管
BSS123WQ-7-F参考图片

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BSS123WQ-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
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库存:20,827(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.5312
2.5312
10
¥1.7289
17.289
100
¥0.72207
72.207
1,000
¥0.49155
491.55
3,000
¥0.3842
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
170 mA
Rds On-漏源导通电阻
6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
2.15 mm
系列
BSS123W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
80 mS
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,BSS123WQ-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
3,000:¥1.8532
参考库存:7382
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR SPCL TR
1:¥1.8419
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
10,000:¥0.24634
20,000:查看
参考库存:63741
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5032
参考库存:7385
晶体管
MOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥16.7466
10:¥13.9103
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
3,000:¥7.2885
参考库存:10388
晶体管
MOSFET
1:¥661.4342
2:¥641.5349
5:¥633.704
10:¥621.4096
参考库存:4393
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