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晶体管
SQM35N30-97_GE3参考图片

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SQM35N30-97_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N-Chnl 300-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
  • 数据手册下载
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库存:1,912(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥24.5888
24.5888
10
¥20.3626
203.626
100
¥16.7466
1674.66
250
¥16.2155
4053.875
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
78 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,SQM35N30-97_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A I2PAK-3 OptiMOS-T2
1:¥15.2889
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
参考库存:4657
晶体管
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9947
10:¥5.7517
100:¥4.4183
500:¥3.8081
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:6357
晶体管
MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
800:¥20.5886
2,400:查看
参考库存:4902
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:14304
晶体管
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
1:¥12.0684
10:¥9.9892
100:¥7.6275
500:¥6.5653
800:¥5.1754
参考库存:4787
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