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晶体管
IPSA70R900P7SAKMA1参考图片

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IPSA70R900P7SAKMA1

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库存:3,039(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.5312
253.12
1,000
¥2.0227
2022.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
740 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
6.8 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.7 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPSA70R900P7S SP001664790
商品其它信息
优势价格,IPSA70R900P7SAKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz
1:¥48.7934
10:¥44.1039
25:¥42.036
100:¥36.499
参考库存:3008
晶体管
IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz
1:¥26.4307
10:¥22.4418
100:¥19.436
250:¥18.4416
参考库存:2544
晶体管
MOSFET N-Ch 60 Volt 55 Amp
1:¥8.6106
10:¥7.3111
100:¥5.6274
500:¥4.972
参考库存:5866
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥78.6028
10:¥71.077
25:¥67.7774
100:¥58.8617
参考库存:2900
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.068
10:¥3.4013
100:¥2.0792
1,000:¥1.6046
2,000:¥1.3673
参考库存:3086
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