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晶体管
IKA10N65ET6XKSA2参考图片

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IKA10N65ET6XKSA2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Discrete 650 V TRENCHSTOP IGBT6 with soft, fast recovery anti-parallel Rapid diode
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数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥11.0627
110.627
100
¥8.8366
883.66
500
¥7.7631
3881.55
1,000
¥6.4297
6429.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220FP-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
15 A
Pd-功率耗散
40 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
IGBT6
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKA10N65ET6 SP001701334
商品其它信息
优势价格,IKA10N65ET6XKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60 V, 1A NPN low VCE sat (BISS) transi
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
5,000:¥0.62263
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
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1:¥3.7629
10:¥3.1075
100:¥1.8984
1,000:¥1.469
3,000:¥1.2543
参考库存:5095
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
2,000:¥0.46104
参考库存:15344
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
3,000:¥2.0905
参考库存:20775
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