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晶体管
IPS70R1K4P7SAKMA1参考图片

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IPS70R1K4P7SAKMA1

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库存:1,895(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6895
4.6895
10
¥3.9437
39.437
100
¥2.4069
240.69
1,000
¥1.8645
1864.5
2,500
¥1.5933
3983.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
4.7 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
22.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS P7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
61 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.9 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPS70R1K4P7S SP001499706
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPS70R1K4P7SAKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIPOLAR PNP Vce 30V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7177
100:¥2.3956
1,000:¥1.921
3,000:¥1.6159
参考库存:5590
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 132A
1,500:¥22.1254
参考库存:16792
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) general-purpose double transistors
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:8595
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 LESHANBE SS SC88 BR XSTR
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
10,000:¥0.63732
20,000:查看
参考库存:12557
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 930-960MHz 6Watt Gain 16dB
1:¥424.541
5:¥389.5788
10:¥349.622
25:¥309.6652
参考库存:16799
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