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晶体管
SSM6J53FE参考图片

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SSM6J53FE

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Vds=-20V Id=1.8A 6Pin
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.8 A
Rds On-漏源导通电阻
136 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
SSM6J53
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
8000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格,SSM6J53FE的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥4.068
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3,000:¥1.2882
参考库存:5806
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