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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	否
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.1
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2106MF
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	80
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN2106MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
UMX3NTR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-363	1:¥2.9154 10:¥1.8758 100:¥0.80682 1,000:¥0.62263 3,000:¥0.46895	参考库存:40951
RJH1CD7DPQ-E0#T2	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT	1:¥41.6518 10:¥37.1883 25:¥33.5045 50:¥31.9677	参考库存:40954
AGR18045EF	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 49Watt Gain 15dB	1:¥571.5314 5:¥524.433 10:¥470.645 25:¥416.857	参考库存:40957
RJH60A83RDPP-M0#T2	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 IGBT	1:¥16.9839 10:¥15.2889 25:¥13.673 100:¥12.2944	参考库存:40960
JANTX2N6301	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Power BJT	1:¥380.2789 5:¥359.7694 10:¥355.6901 25:¥328.9543	参考库存:40963