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晶体管
JAN2N2857UB/TR参考图片

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JAN2N2857UB/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管
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库存:40,042(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥453.8984
45389.84
200
¥428.5412
85708.24
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
集电极—发射极最大电压 VCEO
15 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UB-3
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
最大直流电集电极电流
40 mA
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,JAN2N2857UB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 0.1A 4.7kO SOT-323
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:6015
晶体管
MOSFET 650V/80mOhm SiC CASCODE G3
1:¥87.5976
10:¥83.4505
25:¥77.2242
50:¥73.0771
参考库存:3406
晶体管
MOSFET Power MOSFET, 20V, 1A, N-Type, SOT-23
1:¥5.537
10:¥4.2827
100:¥3.2544
500:¥2.7685
3,000:¥1.9436
9,000:查看
参考库存:23632
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.6104
10:¥3.8759
100:¥2.4973
1,000:¥2.0001
2,000:¥2.0001
参考库存:5022
晶体管
IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M
1:¥3.3787
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:8924
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