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晶体管
JANTX2N2906AUB/TR参考图片

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JANTX2N2906AUB/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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100
¥122.8649
12286.49
250
¥112.0282
28007.05
500
¥104.8075
52403.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LCC-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
600 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
175 at 1 mA, 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 100 uA, 10 V
Pd-功率耗散
0.5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTX2N2906AUB/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC848BW RF
Taiwan Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:41695
SI7114DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
1:¥14.5205
10:¥12.0684
3,000:¥12.0684
参考库存:41698
IPB80N04S3-04
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T
1:¥12.1362
10:¥10.2943
100:¥8.2942
500:¥7.1981
1,000:¥5.9664
参考库存:41701
2SA1955FVBTPL3Z
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
1:¥3.9211
10:¥2.1696
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
8,000:¥0.48364
24,000:查看
参考库存:41704
MRF24301HS-2450
NXP Semiconductors
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24301HS-2450/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:41707
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