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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	VESM-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	700
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1111MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
直流电流增益 hFE 最大值	120 @ 1mA @ 5V
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1111MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DCX114EU-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 COMP NPN/PNP 200mW	1:¥3.1527 10:¥2.0001 100:¥0.86106 1,000:¥0.66105 3,000:¥0.49946	参考库存:7349
UML2NTR	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V .15A	1:¥2.9945 10:¥2.0792 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.62263	参考库存:5599
MSD42T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS XSTR HV 300V TR	1:¥1.695 10:¥1.1413 100:¥0.47686 1,000:¥0.32318 3,000:¥0.25312	参考库存:12643
2N5885	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Power SW	1:¥53.788 10:¥53.3247 25:¥48.5674 100:¥43.7988	参考库存:2448
APT48M80B2	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET - MOS8	1:¥156.3694 5:¥149.3747 10:¥144.6852 25:¥132.9332	参考库存:2442