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晶体管

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RN1106MFV(TPL3)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
典型输入电阻器
4.7 kOhms
典型电阻器比率
0.1
安装风格
SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
Pd-功率耗散
150 mW
最大工作温度
+ 150 C
系列
RN1106MFV
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
80
商标
Toshiba
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
8000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,RN1106MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 60V Vds TrenchFET TO-220AB
1:¥22.4418
10:¥18.5998
100:¥15.2889
250:¥14.8256
500:¥13.2888
参考库存:5209
晶体管
MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
800:¥5.7969
参考库存:5636
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
1:¥22.3627
10:¥18.984
100:¥16.4415
250:¥15.594
参考库存:5260
晶体管
MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2376
2,500:¥6.2376
参考库存:6110
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 5.5 mOhm typ., 80 A, STripFET F6 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.6049
500:¥6.7235
1,000:¥5.2997
参考库存:6954
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