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BSM100GB120DLC

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数量单价合计
10
¥999.0782
9990.782
30
¥978.1732
29345.196
50
¥978.0941
48904.705
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
780 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM100GB120DLCHOSA1 SP000100721
商品其它信息
优势价格,BSM100GB120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V Dual NPN
1:¥3.3787
10:¥2.1922
100:¥0.9379
1,000:¥0.72207
8,000:¥0.49155
24,000:查看
参考库存:7986
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 12V 2A
1:¥4.3053
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
2,000:¥1.4238
参考库存:3634
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Gen Trans NPN x 2 SMV, 50V, 100A
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:2851
晶体管
MOSFET BUK7K134-100E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥6.3054
10:¥5.2319
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
1,500:¥2.2826
参考库存:4572
晶体管
MOSFET N-CH MOSFET 20V
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:7298
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