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BSM200GA120DLC

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数量单价合计
10
¥945.2902
9452.902
30
¥925.4587
27763.761
50
¥925.3796
46268.98
100
¥879.1287
87912.87
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
否
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GA120DLCHOSA1 SP000092013
商品其它信息
优势价格，BSM200GA120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBFJ308,215
NXP Semiconductors
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1752
3,000:¥0.99892
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TK56A12N1,S4X
Toshiba
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1:¥16.1364
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100:¥10.3734
500:¥9.1417
参考库存:3149
2N4920
Central Semiconductor
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1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:3108
FP75R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3031
DDTA124GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6026
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