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晶体管
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CGHV40100F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
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¥2,507.4474
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
11 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
2.7 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
输出功率
100 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
4.19 mm
长度
20.45 mm
工作频率
500 MHz to 2.5 GHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
产品
GaN HEMT
宽度
5.97 mm
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
- 10 V to + 2 V
类
-
开发套件
CGHV40100-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
商品其它信息
优势价格，CGHV40100F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRLH6224TRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 20V 80A 3.0mOhm 2.5V drive capable
1:¥9.4468
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
1,000:¥4.3279
4,000:¥4.3279
参考库存:7549
2SB1202S-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) HIGH-CURRENT SWITCHING
1:¥6.0681
10:¥5.0059
100:¥3.2318
700:¥2.5764
2,100:¥2.1809
参考库存:6595
AUIRFS8409-7P
Infineon / IR
晶体管
MOSFET Auto 40V N-Ch FET 0.97mOhm 195A
1:¥39.0302
10:¥33.1203
100:¥28.7359
250:¥27.2782
参考库存:5435
IRF7328TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7122
500:¥5.9325
4,000:¥4.1584
8,000:查看
参考库存:8780
SI7820DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥12.0684
10:¥9.9892
3,000:¥9.9892
参考库存:8501
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