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晶体管
STGP10NB60SD参考图片

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STGP10NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
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库存:3,863(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.6622
236.622
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.436
4859
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
3.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
达林顿晶体管 . .
160:¥50.1042
260:¥46.0249
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
参考库存:29156
晶体管
MOSFET T6 40V DPAK EXP
2,500:¥2.9945
10,000:¥2.8702
25,000:¥2.7911
参考库存:29159
晶体管
MOSFET MOSFET N-Channel 60V
800:¥10.8367
1,600:¥8.9157
参考库存:29162
晶体管
JFET N-Ch Matched -20V 10mA 480mW 3.8mW
40:¥161.2849
100:¥149.838
250:¥137.4645
500:¥130.854
参考库存:29165
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single PNP -30V -4.4A 700mW 130MHz
1,000:¥2.0905
2,000:¥1.7628
10,000:¥1.7063
25,000:¥1.6385
50,000:¥1.6159
参考库存:29168
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