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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2115
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 6 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN2115MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD87501L	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET CSD87501L 30-VDual N Channel Power MOSFET	1:¥6.9156 10:¥5.9212 100:¥4.5313 500:¥4.0002 3,000:¥2.8024 9,000:查看	参考库存:7186
RD3U060CNTL1	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 250V 6A TO-252 (DPAK)	1:¥9.9101 10:¥8.4524 100:¥6.4636 500:¥5.7065 2,500:¥4.0002 10,000:查看	参考库存:7208
STW48N60M2	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package	1:¥64.0032 10:¥57.856 25:¥55.1666 100:¥47.8668	参考库存:5198
FDD86380-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench	1:¥6.9156 10:¥5.7291 100:¥3.6951 1,000:¥2.9606 2,500:¥2.4973	参考库存:8664
SQJB00EP-T1_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified	1:¥9.4468 10:¥8.3733 100:¥6.8817 500:¥5.3788 3,000:¥3.8985 6,000:查看	参考库存:7346