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晶体管
JANTXV2N3637/TR参考图片

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JANTXV2N3637/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥211.1518
21115.18
250
¥193.795
48448.75
500
¥184.416
92208
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-205AD-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
175 V
集电极—基极电压 VCBO
175 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.3 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at - 50 mA, - 10 V
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
55 at 100 uA, 10 V
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，JANTXV2N3637/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ018NE2LSIXT
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 25V 40A TSDSON-8 OptiMOS
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
5,000:¥5.2432
10,000:查看
参考库存:9087
BUL58D
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg Fast Swtchng NPN Pwr Transistor
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:6223
FDT86113LZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
4,000:¥2.0792
参考库存:11319
BSC034N06NS
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
5,000:¥6.2489
10,000:查看
参考库存:14103
DMN6013LFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,000:¥2.2939
参考库存:8005
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