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晶体管

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FF400R12KE3_B2

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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
580 A
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
30.9 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF400R12KE3B2HOSA1 SP000092019
商品其它信息
优势价格,FF400R12KE3_B2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 DISCRETES
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥7.006
2,500:¥5.4014
5,000:查看
参考库存:18012
晶体管
MOSFET PMPB10XNEA/SOT1220/SOT1220
3,000:¥1.2317
9,000:¥1.1413
24,000:¥1.08367
45,000:¥1.05994
参考库存:18015
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 300MW 22KW 22KW
3,000:¥0.49946
9,000:¥0.44522
24,000:¥0.41471
参考库存:18018
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 116A 3.4MO
5,000:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.4069
参考库存:18021
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT Dual NPN
1:¥2.2261
10:¥1.469
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
3,000:¥0.32996
参考库存:48824
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