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晶体管
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MX2N5115

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100
¥471.1874
47118.74
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
JFET
RoHS
否
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18
晶体管极性
P-Channel
配置
Single
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Vgs-栅源极击穿电压
30 V
Vgs=0时的漏-源电流
- 60 mA
Id-连续漏极电流
-1 nA
Rds On-漏源导通电阻
100 Ohms
Pd-功率耗散
0.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
封装
Bulk
类型
JFET
商标
Microchip / Microsemi
闸/源截止电压
6 V
最大漏极/栅极电压
30 V
工厂包装数量
1
商品其它信息
优势价格，MX2N5115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMBFJ308,215
NXP Semiconductors
晶体管
JFET TAPE7 FET-RFSS
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1752
3,000:¥0.99892
参考库存:3732
TK56A12N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh6.2ohm VGS10V10uAVDS120V
1:¥16.1364
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.1417
参考库存:3149
2N4920
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:3108
FP75R06KE3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥865.5235
5:¥849.6244
10:¥811.4304
25:¥784.3782
参考库存:3031
DDTA124GUA-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 22K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:6026
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