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APTGTQ50TA65T3G参考图片

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APTGTQ50TA65T3G

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100
¥496.8497
49684.97
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
120 nA
Pd-功率耗散
125 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGTQ50TA65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5151L
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥127.8595
250:¥116.5708
500:¥109.0337
参考库存:39114
BSM100GD120DLC
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 1200V 100A 3-PHASE
10:¥1,810.2713
30:¥1,784.9141
参考库存:39117
RM150N60HD-T
Rectron
晶体管
MOSFET D2-PAK MOSFET
1,600:¥6.328
2,400:¥5.4353
4,800:¥4.9607
9,600:¥4.5313
参考库存:39120
MV2N4860UB
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥741.4269
参考库存:39123
2N3637UB/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥105.429
200:¥96.1291
500:¥89.9819
1,000:¥82.5239
参考库存:39126
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