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晶体管
FP20R06YE3_B4参考图片

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FP20R06YE3_B4

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库存:31,821(价格仅供参考)
数量单价合计
20
¥364.8318
7296.636
40
¥353.1589
14126.356
60
¥353.0798
21184.788
100
¥327.1802
32718.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP20R06YE3B4BOMA1 SP000089810
商品其它信息
优势价格,FP20R06YE3_B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 50V NPN
1:¥0.84524
10:¥0.7458
100:¥0.26103
1,000:¥0.17628
10,000:¥0.11526
20,000:查看
参考库存:197618
晶体管
MOSFET LOW VOLTAGE
1:¥15.368
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.1417
3,000:¥7.0286
6,000:查看
参考库存:7033
晶体管
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET
1:¥44.7932
10:¥38.0358
100:¥33.0412
250:¥31.3462
1,000:¥23.6622
2,000:查看
参考库存:2390
晶体管
MOSFET NFET WDFN6 30V 1.4 Ohms
1:¥6.6896
10:¥5.5709
100:¥3.5934
1,000:¥2.8815
3,000:¥2.4295
参考库存:9806
晶体管
MOSFET 500V N-Channel QFET
1:¥55.1666
10:¥49.8669
25:¥47.5617
100:¥41.3354
参考库存:1896
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