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晶体管
FP20R06YE3_B4参考图片

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FP20R06YE3_B4

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库存:31,821(价格仅供参考)
数量单价合计
20
¥364.8318
7296.636
40
¥353.1589
14126.356
60
¥353.0798
21184.788
100
¥327.1802
32718.02
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
IGBT-Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
封装 / 箱体
Module
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
20
子类别
IGBTs
零件号别名
FP20R06YE3B4BOMA1 SP000089810
商品其它信息
优势价格,FP20R06YE3_B4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:20425
晶体管
MOSFET N-channel 100 V 65 mo FET
1:¥4.6104
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
1,500:¥1.9549
参考库存:7802
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
10,000:¥0.1695
20,000:查看
参考库存:24508
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 25V
1:¥4.2262
10:¥3.4465
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
2,000:¥1.3786
参考库存:7684
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 100V
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:6809
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